光刻EMES微納加工光刻亞微級(jí)代工

       光刻加工是半導(dǎo)體器件制造工藝中最重要的一個(gè)步驟，光刻是使用帶有圖形設(shè)計(jì)的掩膜版（mask），通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)過(guò)曝光和顯影，使光敏的光刻膠在襯底上形成圖形的工藝。光刻工藝主要應(yīng)用與半導(dǎo)體器件加工、集成電路制造等。光刻EMES,微納米加工,光刻EMES微納加工,光刻亞微級(jí)代工

       光刻加工主要過(guò)程：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。

紫芯ZIXIN半導(dǎo)體光刻加工工藝參數(shù)

       加工精度：1μm，精度5%以?xún)?nèi)

       襯底材料：硅片，氧化硅片，玻璃，藍(lán)寶石，陶瓷，PI/PET柔性基材

       襯底尺寸：6'、4'、2' 以及不規(guī)則小片